Sistema de imagem de superfície eletroquímica e processamento de padrões

Sistema de imagem de superfície eletroquímica e processamento de padrões, composto por um dispositivo de posicionamento espacial de precisão e um potenciômetro biconstante com detecção de microcorrente e software de aplicação associado. Pode ser aplicado em áreas de pesquisa e aplicações como transferência de elétrons e íons de interface, química e biosensor, ionomica, imagem celular, liberação de drogas, catálise de transferência de fase de interface, simulação de biofilme, síntese orgânica de interface, preparação de micronano e microprocessamento de superfície.

•Vários modos de trabalho, como aproximação da sonda e varredura da sonda

•Imagem de superfície eletroquímica

•Função de processamento de padrões de superfície

•Função de Potenciômetro Biconstante

•Vários métodos eletroquímicos integrados

•Função de troca de eletrodos de trabalho

•Detecção de microcorrente Pian

•Resolução de posicionamento espacial até 1,9 nm

•Modo de potencial aberto do segundo eletrodo de trabalho

•Modo de ligação espectral de fibra óptica visível ultravioleta

•Microscópio óptico com interface USB

Propriedades mecânicas Motor de passo Cristais piezoelétricos

Direção de movimento X/Y/Z X/Y/Z

Faixa de movimento 50 x 50 x 50 mm 95 x 95 x 95 μm

Resolução de posicionamento 20nm 1.9nm

Precisão de posicionamento repetido 2μm 30nm

zui alta velocidade de movimento 2mm/s NA

Tempo de resposta NA 25ms

Parâmetros de desempenho elétrico

Gama de controle de potencial ±10V

Pressão ±12V

Corrente de saída ±250mA

Gama de medição de corrente de 10pA a 250mA em 11 intervalos

Resolução de medição de corrente <10fA

Resolução de controle de potencial 0.1mV@±3.2V

Taxa de captura de dados 1MHz

Velocidade de varredura linear de 1μV/s a 5000V/s

Largura de impulso potencial 0.00001s ~ 1000s

Frequência de corte do filtro de baixa passagem 0.1Hz ~ 100KHz

Impedância de entrada do eletrodo de referência > 1000GΩ

Alcance de controle de potencial do segundo eletrodo ±10V

Segunda corrente de saída ± 250mA

Alcance de medição de corrente do segundo eletrodo de 10pA a 250mA

Resolução de corrente do segundo eletrodo <10fA

Velocidade de captura de dados do segundo eletrodo 1MHz

Métodos experimentais

Curva de aproximação da sonda (PAC)*, Curva de varredura da sonda (PSCA, PSCP, PSCCC)*, Imagem de superfície eletroquímica (ESIA, ESIP, ESICC)*, Processamento de padronização da superfície (SPC)*, Voltamétrica circular (CV)*, Voltamétrica de varredura linear (LSV)*, Voltamétrica de ondas escaleiras (SV)*, Curva de Tafer (TAFEL)*, Curva de tensão-tempo de circuito aberto (OCPT), Metodo de corrente cronológica (CA)*, Metodo de potência cronológica (CC), Voltamétrica de pulso diferencial (DPV)*, Voltamétrica de pulso convencional diferencial (NPV)*, Voltamétrica de pulso convencional diferencial (DNPV)*, Voltamétrica de onda quadrada (SWV)*, Voltamétrica de corrente alterna (ACV), Voltamétrica de corrente alterna harmônica secundária (SHACV), Curva de corrente-tempo (I-t)*, Detecção de corrente de pulso diferencial (DPA), Detecção de corrente de pulso diferencial dupla (DDPA), Detecção de corrente de pulso triplo (TPA), Detecção de corrente de pulso integral (IPAD), eletrólise de potencial de controle (BE), Método de fase de múltiplos potenciais (MPS)*, Medição de impedância de corrente alterna (IMP), Medição de impedância de corrente alterna-tempo (IMPT), Medição de impedância de corrente alterna-potencial (IMPE), Metodo de potencial temporizado (CP), Metodo de potencial temporizado de varredura de corrente (CPCR), Metodo de fase de múltiplas correntes (MCS), Análise de dissolução de potencial (PSA), Medição de ruído eletroquímico (ECN), Forma de onda de tensão arbitrária (AWV)*, disponível para uso em modo biconstante

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