Sistema de deposição de camada atômica reforçada por plasma

Sistema de deposição de camada atômica reforçada por plasma
(PEALD)
Plasma Enhance Atomic Layer Deposition (PEALD), também conhecido como Atomic Layer Epitaxy (ALE) ou Atomic Layer Chemical Vapor Deposition (ALCVD). Deposição de camada atômica é a introdução consecutiva de pelo menos duas fontes de expulsores pré-fase de gás no substrato de uma reação de aquecimento, a adsorção química à superfície termina automaticamente quando a temperatura de processo apropriada impede a adsorção física da molécula na superfície. Um ciclo básico de deposição da camada atómica consiste em quatro etapas: pulso A, limpeza A, pulso B e limpeza B. O ciclo de deposição, repetido constantemente até obter a espessura de película fina necessária, é a ferramenta para criar nanoestruturas que formam nanodispositivos.

As vantagens do PEALD incluem:
A espessura da película pode ser controlada com precisão pelo controle do número de ciclos de reação, alcançando assim a precisão da espessura da camada atômica da película;
Como o precursor é adsorção química saturada, garante a geração de uma grande área de filme uniforme;
3. Filmes quimiométricos polimorfos tridimensionais que podem ser gerados, como revestimento de degraus e materiais nanoporosos;
4. pode depositar nanocamadas finas de vários componentes e óxidos misturados;
O crescimento da película pode ser realizado a baixa temperatura (temperatura ambiente abaixo de 400 graus);
6. pode ser amplamente aplicado a substratos de várias formas;
A película de óxido metálico de crescimento de sedimento de camada atômica pode ser usada para eletrômetros de porta, isoladores de monitores eletrônicos luminosos, eletrômetros de capacitores e dispositivos MEMS, e a película de nitreto metálico de crescimento é adequada para barreiras de difusão.


Aplicações de PEALD de deposição de camada atômica aumentada por plasma:
1) Materiais dielétricos de alta K (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3);
2) eletrodos condutores (Ir, Pt, Ru, TiN);
3) Estruturas de interconexão metálica (Cu, WN, TaN, Ru, Ir);
4) Materiais catalíticos (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5);
Nanoestruturas (All ALD Material)
6) Revestimentos biomédicos (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN);
7) ALD 金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni);
8) Camada piezoelétrica (ZnO, AlN, ZnS);
Condutores elétricos transparentes (ZnO: Al, ITO);
10) Camada de bloqueio ultravioleta (ZnO, TiO2);
11) Camada de passivação OLED (Al2O3);
12) 光子晶体 (ZnO, ZnS: Mn, TiO2, Ta3N5);
Filtros antirreflexo (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5);
14) Dispositivos eletrônicos de emissão de luz (SrS: Cu, ZnS: Mn, ZnS: Tb, SrS: Ce);
15) camadas de processo como cerca de gravação, cerca de difusão iónica, etc. (Al2O3, ZrO2);
16) Aplicações ópticas como células solares, lasers, revestimentos ópticos, nanofótons, etc. (AlTiO, SnO2, ZnO);
17) Sensores (SnO2, Ta2O5);
18) Lubricantes de desgaste, camadas de bloqueio da corrosão (Al2O3, ZrO2, WS2);


Configuração do sistema:
Tamanho do substrato: 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas;
Temperatura de aquecimento: 25 ℃ - 400 ℃ (opcionalmente mais alta);
Uniformidade: < 2%;
Número de precursores: 4 vias (6 vias opcionais);
Compatibilidade: Compatível com a sala ultra limpa de nível 100;
Dimensões: 950mm x 700mm;
Tecnologia ALD e PE-ALD;
Os materiais que podem ser depositados atualmente incluem:
1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,. ..
2) Nitretos: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
3) Fluoreto: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, . ..
5) Carbetos: TiC, NbC, TaC, ...
6) Materiais estruturais compostos: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2: Al, HfSiOx,...
7) Sulfeto: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...