Máquina de limpeza de plasma de oxigênio

Características relevantes da máquina de purificação de plasma de oxigênio fotológico:

Esta função de purificação pode remover os principais poluentes de voláteis (COV), amônia, sulfeto de hidrogênio, inorgânicos, sulfóleos e outros, bem como vários odores, a eficiência de desodorização pode atingir mais de 98%, para a difusão a longo prazo, o odor e o odor acumulados podem ser removidos dentro de 24 horas, e tem a capacidade de matar vários micróbios no ar, vírus e outros, mas também tem um efeito muito evidente.

A tecnologia de "plasma de baixa temperatura" é um processo eletroquímico combinado de eletrônica, química e catálise, e é uma área totalmente nova. É a energia de ligação química da ionização do campo elétrico gerada pelo plasma no instante, a energia de ligação química do gás de fissura, destruindo assim a estrutura molecular do gás de escape para alcançar o objetivo de purificação.

Propriedades relacionadas da máquina de purificação de plasma de oxigênio:

Os buracos fotogênicos têm a capacidade de obter eletrônicos que podem reagir com o O2 e H2O adsorvidos na superfície do catalisador para gerar radicais livres hidroxilos, oxidando ainda mais os poluentes. Devido ao processo de fotocatálise de descarga de plasma com uma grande quantidade de choques eletrônicos, partículas ativas, radiação ultravioleta e outros fatores sintetizados, é possível decompor a substância no ar e desodorizar.

3, o princípio físico-químico da máquina de purificação de plasma de oxigênio óptico:

Os íons, elétrons, átomos de titânio estimulados, moléculas e radicais livres no plasma da máquina de purificação de plasma de oxigênio são substâncias reativas ativas, tornando a reação difícil ou lenta em condições normais, eles reagem com moléculas de poluentes e íons, tornando assim a degradação dos poluentes, especialmente favorável ao tratamento de poluentes difíceis de degradar.

Além disso, devido ao salto para baixo de partículas excitadas durante a descarga de íons ativos e radicais livres, quando a energia de fótons ou elétrons é maior que a largura de banda proibida do semicondutor, os elétrons no semicondutor são excitados, permitindo que os elétrons saltem da faixa de valor para a faixa condutora, formando pares de buracos de elétrons ativos e induzindo ainda mais uma série de reações de oxidação e redução.